IC, nom 100 A
IC 140 A
min. typ. max.
- 1,7 2,1 V
- 2 t.b.d. V
5 mAcollector emitter cut off current
Gateladung V
GE= -15V...+15V QG - 0,9 - ?C
- -
VGES
revision: 2
VGE(th)
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V Cies 7,1 -
Ptot 480
Kollektor Emitter Reststrom
prepared by: Mark Münzer
gate threshold voltage
Eingangskapazit?t
Isolations Prüfspannung
insulation test voltage RMS, f= 50Hz, t= 1min VISOL
Technische Information / technical information
FS100R12KE3IGBT-ModuleIGBT-Modules
VCEsat
Charakteristische Werte / characteristic values
approved: Martin Hierholzer
input capacitance
gate charge
VCE= 1200V, VGE= 0V, Tvj= 25°C ICES
Periodischer Spitzenstrom
Gesamt Verlustleistung
total power dissipation
Gate Emitter Spitzenspannung
vorl?ufige Daten
preliminary data
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
date of publication: 2001-08-16
Kollektor Emitter S?ttigungsspannung VGE= 15V, Tvj= 25°C, IC= IC,nom
collector emitter satration voltage
1200 V
kV2,5
A
nF -
Tc= 25°CDC collector current
VCEScollector emitter voltage
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
H?chstzul?ssige Werte / maximum rated values
Kollektor Emitter Sperrspannung
Tc= 80°CKollektor Dauergleichstrom
repetitive peak forward current
VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C
VGE= 15V, Tvj= 125°C, IC= IC,nom
Gate Schwellenspannung V
CE= VGE, Tvj= 25°C, IC= 4mA
I?t value
W
Vgate emitter peak voltage
200
Dauergleichstrom I
F 100
Tc= 25°C
repetitive peak collector current tp= 1ms, Tc= 80°C
Periodischer Kollektor Spitzenstrom I
CRM
ADC forward current
+/- 20
1,95 kA?s
tp= 1ms IFRM 200 A
Grenzlastintegral
5 5,8 6,5 V
0,3 - nFreverse transfer capacitanceRückwirkungskapazit?t f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V Cres -
- 400 nAgate emitter leakage currentGate Emitter Reststrom VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C IGES -
I?t
1 (8) Datenblatt_FS100R12KE3_V2.xls2001-08-16
